Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 7.4
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 54
    Intorno -100% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.5 left arrow 9.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    14900 left arrow 12800
    Intorno 1.16 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    54 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.2 left arrow 12.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 7.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2105 left arrow 2311
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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