RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
63
Intorno -174% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.7
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
23
Velocità di lettura, GB/s
8.1
20.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
20.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
4247
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link