RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
49
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
29
Velocità di lettura, GB/s
10.0
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3049
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link