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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
32
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
32
Velocità di lettura, GB/s
11.8
9.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2017
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
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