RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
42
Intorno -147% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
17
Velocità di lettura, GB/s
10.6
22.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3731
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link