RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
42
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
22
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3115
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link