RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
28
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3651
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link