RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
78
Intorno 46% latenza inferiore
Motivi da considerare
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
78
Velocità di lettura, GB/s
10.6
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2113
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link