RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
16
104
Intorno -550% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
16
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
21.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3872
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link