RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
104
Intorno -174% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
38
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2961
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link