RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
67
104
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
67
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1850
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link