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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
14.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
74
Intorno -174% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
27
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3446
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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