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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
74
Intorno -164% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
28
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2014
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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