RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
73
Intorno -204% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
24
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2442
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link