RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
73
Intorno -192% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
25
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2740
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link