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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
57
73
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
57
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2233
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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