RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
68
Intorno -127% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
30
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
3073
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link