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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
38
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
34
Velocità di lettura, GB/s
15.5
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3465
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
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