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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
56
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
15.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
56
Velocità di lettura, GB/s
15.5
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2455
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
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