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Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Confronto
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
8500
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
45
Intorno -50% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
30
Velocità di lettura, GB/s
12.1
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
8500
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2054
1479
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905428-193.A00LF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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