RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
47
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
31
Velocità di lettura, GB/s
11.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3729
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link