Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 45
    Intorno -80% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.4 left arrow 12
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.1 left arrow 7.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR5
  • Latenza in PassMark, ns
    45 left arrow 25
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.0 left arrow 13.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 12.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1939 left arrow 3419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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