RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
44
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
33
Velocità di lettura, GB/s
13.0
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
3181
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link