RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
45
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
36
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2946
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Segnala un bug
×
Bug description
Source link