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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
48
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
28
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3168
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
AMD R334G1339U2S 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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