RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
48
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
31
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3222
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link