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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
48
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.6
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
43
Velocità di lettura, GB/s
8.9
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2615
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
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