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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
62
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.0
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
62
Velocità di lettura, GB/s
8.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
1586
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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