RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
40
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
22
Velocità di lettura, GB/s
12.3
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3987
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link