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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
77
Intorno -166% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
29
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
3324
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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