RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
41
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
23
Velocità di lettura, GB/s
11.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
3098
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link