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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
38
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
33
Velocità di lettura, GB/s
10.9
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
3224
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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