RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
3757
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.4010C 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link