RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
66
Intorno -187% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.4
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.1
2,978.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
23
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
22.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
20.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
4421
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link