RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
59
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
2,076.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
32
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2434
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link