RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,013.5
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
68
Intorno -94% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
35
Velocità di lettura, GB/s
4,402.8
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,013.5
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
701
3221
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link