RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
44
Intorno -76% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
25
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
12.4
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
1511
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link