RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Confronto
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
3,071.4
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
70
Intorno -94% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
70
36
Velocità di lettura, GB/s
4,372.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
3,071.4
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2497
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link