RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
66
Intorno 30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
66
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
1934
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link