RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
53
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
29
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3687
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link