RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
53
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
28
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3663
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link