RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
25
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
19
Velocità di lettura, GB/s
12.5
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
3626
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link