RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
96
Intorno -284% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
25
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
2620
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link