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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
総合得点
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
94
周辺 -213% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
10
1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.5
1,165.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
94
30
読み出し速度、GB/s
1,882.0
10.0
書き込み速度、GB/秒
1,165.4
8.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
305
2234
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Frequency (Mhz) *
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