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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
総合得点
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
総合得点
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
47
周辺 -62% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
11.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
9.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
29
読み出し速度、GB/s
11.8
18.2
書き込み速度、GB/秒
9.2
15.4
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2323
3559
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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