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Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
31
周辺 -11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.8
8.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.9
5.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
8500
周辺 1.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
31
28
読み出し速度、GB/s
8.8
11.8
書き込み速度、GB/秒
5.1
7.9
メモリ帯域幅、mbps
8500
12800
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1423
1920
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