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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
総合得点
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
44
周辺 -91% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.8
13.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
9.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
23
読み出し速度、GB/s
13.2
17.8
書き込み速度、GB/秒
9.1
12.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2302
3091
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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