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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 39
    周辺 33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    16.2 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.6 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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