Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 33

周辺 27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16 14.5

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 12.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13% 高帯域

Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB

バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 33
読み出し速度、GB/s

16.0 14.5
書き込み速度、GB/秒

12.5 12.1
メモリ帯域幅、mbps

19200 17000

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 3091

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

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Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB

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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB

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