Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 27

周辺 11% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13% 高帯域

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

21.9 16

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

19.1 12.5

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 27
読み出し速度、GB/s

16.0 21.9
書き込み速度、GB/秒

12.5 19.1
メモリ帯域幅、mbps

19200 17000

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 4044

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

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Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

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Team Group Inc. UD5-6400 16GB

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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

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Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

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